Pamięć SOT-MRAM zapisuje bit w 2 nanosekundy i nie wymaga dodatkowego zasilania
Naukowcy z Uniwersytetu Teksańskiego w Austin i firmy TSMC opracowali pamięć magnetyczną SOT-MRAM, która zapisuje jeden bit danych w zaledwie dwie nanosekundy. Technologia łączy błyskawiczną prędkość z niskim poborem energii i zachowuje dane po odcięciu zasilania. Może ona stanowić poważną alternatywę lub uzupełnienie tradycyjnych procesorów GPU, umożliwiając lokalną obsługę AI bez ciągłego łączenia z chmurą.
Komentarze
Brak komentarzy
Komentarze
Jeszcze nikt nie skomentował — napisz pierwszy 👇
Brak komentarzy. Bądź pierwszy!