Samsung planuje pamięć NAND o 1000 warstwach i dyski M.2 o pojemności 32 TB
Samsung przedstawił na sympozjum IEEE/JSAP VLSI 2026 plan rozwoju pamięci NAND sięgający 1000 warstw do końca dekady. Firma zakłada osiągnięcie ~420 warstw w 2029 roku i przekroczenie 560 warstw w 2030. Docelowo technologia ma umożliwić wyprodukowanie dysków SSD w formacie M.2 o pojemności 32 TB, korzystając z techniki Cell Multi-Bonding jako alternatywy dla tradycyjnego skalowania pionowego.
Komentarze
Brak komentarzy
Komentarze
Jeszcze nikt nie skomentował — napisz pierwszy 👇
Brak komentarzy. Bądź pierwszy!